雪崩能量测试台功能指标:
配置
测试范围
测试参数
条件
范围
电压1000V
IGBT
绝缘栅极双极型晶体管
EAS/单脉冲雪崩能量
VCE
20V~4500V
20V~100V±3%±1V
100V~1000V±3%±5V
1000V~4500V±3%±10V
电流200A
MOSFETS
MOS场效应管
EAR/重复脉冲雪崩能量
IC
1mA~200A
1mA~100mA±3%±0.1mA
100mA~2A±3%±5mA
2A~200A±3%±50mA
DIODES
二极管
IAS/脉冲雪崩电流
PAS/单脉冲雪崩功率
Ea
1J~2000J
1J~100J±3%±1J
100J~500J±3%±5J
500J~2000J±3%±10J
IC(检测）
50mV/A(取决于传感器）
感性负载
10mH、20mH、40mH、80mH、100mH
重复间隙时间
1~60s可调（进步is）重复次数：1~50次