物理性质：具有银灰色金属光泽，条状，梯形截面，性脆，易断裂，硬度 5.0 左右，微导电，属于典型的半导体。其密度为 5.35g/mL，熔点为 937℃，沸点为 2830℃，不溶于盐酸、硝酸和常碱，但溶于 HF、王水和热的 NaOH 溶液中。
后处理
冷却与脱模：区熔结束后，以 2~5℃/min 速率分段降温，500℃以下慢速冷却，防止内应力开裂，冷却后取出锗锭。
切头切尾：切除含高浓度杂质的尾料与籽晶部分，保留中间高纯段。
检测分级：通过电阻率测试、ICP-MS 分析杂质含量，按纯度分级（如 6N、7N、8N），合格产品包装入库，不合格品返回原料重熔。
退火处理（可选）：对高纯锗锭进行 400~500℃真空退火，消除内应力，提升晶体完整性，满足半导体单晶制备需求。
锗锭的核心分类与差异
除了之前重点介绍的区熔锗锭，工业中常见的锗锭还包括以下类型，核心差异集中在提纯工艺、纯度与用途：
类型
提纯方法
纯度范围
关键特点
主要应用
区熔锗锭（FZ-Ge）
水平 / 垂直区熔法
6N~9N（99.9999%~99.9999999%）
杂质偏析彻底，晶体完整性高，半导体特性优异
锗单晶、红外光学材料、半导体器件
真空熔炼锗锭
真空高温熔炼
4N~5N（99.99%~99.999%）
生产效率高，成本较低，纯度适中
锗合金、低档光学部件、含锗化合物原料
电解精炼锗锭
电化学还原 + 精炼
5N~6N
杂质去除效率稳定，适合批量生产
光纤用锗掺杂剂、靶材中间体
锗锭的关键质量指标
纯度等级：核心指标，以 “N” 表示（1N=99%），区熔锗锭主流为 6N~8N，高端半导体应用需 9N 级超高纯锗锭，杂质总量≤0.1ppm。
晶体结构：区熔锗锭需为定向结晶的多晶或准单晶，晶粒尺寸均匀（通常≥5mm），无明显裂纹、缩孔、夹杂等缺陷。
电学性能：电阻率（25℃时）需符合标准，6N 锗锭电阻率通常为 47~53Ω・cm，纯度越高电阻率越稳定。
化学杂质：重点控制 O、C、Fe、Cu、Ni、Si 等杂质，其中 O 含量需≤5ppm（避免影响晶体导电性），重金属杂质≤0.1ppm。
外观与尺寸：银灰色金属光泽，表面无氧化斑、油污，截面呈梯形或矩形，长度通常为 300~600mm，直径 / 宽度根据应用定制。
